一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201711447455.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108362740B | 公开（公告）日 | 2018-08-03 |
| 申请公布号 | CN108362740B | 申请公布日 | 2018-08-03 |
| 分类号 | G01N27/12(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 雷鸣;饶吉磊;贺方杰 | 申请（专利权）人 | 武汉微纳传感技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 武汉微纳传感技术有限公司 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区武大园路5-1号国家地球空间信息产业基地南主楼1单元4层01号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法，包括：由下往上依次层叠的微热盘、绝缘隔离层和敏感电极，以及覆盖在敏感电极上方的气体敏感材料，敏感电极位于微热盘表面的绝缘隔离层上方，包括：第一敏感电极、第二敏感电极和悬置敏感电极，悬置敏感电极位于第一敏感电极和第二敏感电极之间。本发明提供的一种金属氧化物半导体气体传感器，通过在两敏感电极之间引入悬置敏感电极，改善了电场强度分布、微热盘发热区的温度分布、气体传感器的灵敏度和气体传感器长期稳定性，该气体传感器可以长时间承受较高的工作电压，工作可靠性显著提高，适用于产品进一步小型化。 |
