一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201811409855.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109560100B | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN109560100B | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 闫晓密;张秀敏;华斌;王书宇;田媛 | 申请（专利权）人 | 江苏新广联科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡市大为专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 曹祖良 |
| 地址 | 214192江苏省无锡市锡山经济开发区团结北路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于LED微显示屏技术领域，提供一种正装GaN基LED微显示器件及其制作方法，包括蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底正面设有若干个呈阵列分布的LED微显示单元，LED微显示单元间通过绝缘SU胶隔开；LED微显示单元包括位于蓝宝石衬底上的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱、P‑GaN层和透明导电层，在N‑GaN层上设有N电极，在N电极和绝缘SU胶上设有SiO绝缘层，SiO绝缘层上P电极，P电极穿过SiO绝缘层与透明导电层接触；在蓝宝石衬底背面设有布拉格反射镜DBR；本发明的微显示器件在LED单元隔离槽内填充较厚的绝缘SU8胶，避免了因电极应力因素导致的断路，保证了LED微显示器件的稳定性；同时背面采用布拉格反射镜DBR，使得器件的出光率更好。 |
