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基于ECC的NAND数据Read Retry纠错方法和NAND控制器

基本信息

申请号	CN201611225069.X	申请日	-
公开（公告）号	CN108241549B	公开（公告）日	2021-04-30
申请公布号	CN108241549B	申请公布日	2021-04-30
分类号	G06F11/10;G11C16/26;G11C16/34	分类	计算；推算；计数;
发明人	台生斌	申请（专利权）人	北京京存技术有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	孟金喆;胡彬
地址	100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
法律状态	-

摘要

本发明实施例公开了基于ECC的NAND数据ReadRetry纠错方法和NAND控制器，方法包括：a读取目标数据帧和其相邻的可纠错数据帧，记录可纠错数据帧的ECC纠错的第一错误比特值，目标数据帧为ECC不能纠错数据帧，可纠错数据帧为ECC可纠错数据帧；b设置ReadRetry的电压变化阈值；c基于当前电压变化阈值重新读取目标数据帧和可纠错数据帧，记录可纠错数据帧的ECC纠错的第二错误比特值；d比较第一错误比特值和第二错误比特值，当第一错误比特值大于第二错误比特值时增加电压变化阈值，反之减小电压变化阈值；e将变化后的电压变化阈值作为当前电压变化阈值，返回执行c；重复执行c‑e，直到目标数据帧的可纠错比特值达到ECC纠错能力值。本发明实施例可减小ReadRetry方法的读取次数。