一种过温保护电路
基本信息
| 申请号 | CN202110842521.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113377148B | 公开（公告）日 | 2022-02-15 |
| 申请公布号 | CN113377148B | 申请公布日 | 2022-02-15 |
| 分类号 | G05F1/567（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 孙金星 | 申请（专利权）人 | 深圳市微源半导体股份有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市中科创为专利代理有限公司 | 代理人 | 彭西洋;谭雪婷 |
| 地址 | 518000广东省深圳市福田区沙头街道车公庙泰然八路深业泰然大厦15层15C05 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地。本发明将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。 |
