一种衬底隔离环的版图结构

基本信息

申请号 CN201910948970.7 申请日 -
公开(公告)号 CN111009523B 公开(公告)日 2022-03-22
申请公布号 CN111009523B 申请公布日 2022-03-22
分类号 H01L27/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 李长猛;朱敏 申请(专利权)人 芯创智(北京)微电子有限公司
代理机构 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 代理人 田明;杨方
地址 100176北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路10号1幢A座17层1717
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种衬底隔离环的版图结构,版图结构包括:由多个长度相同或不同的N阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的N阱隔离环和由多个长度相同或不同的P阱隔离环单元首尾相连构成的封闭或不封闭的P阱隔离环。本发明采用的衬底隔离环单元可以重复应用在版图设计中的各个场景,并且完全满足工艺设计规范,提高集成电路版图设计的效率,减轻版图设计人员的压缩产品流片时间的压力。