一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法

基本信息

申请号	CN202011376724.8	申请日	-
公开（公告）号	CN112563013A	公开（公告）日	2021-03-26
申请公布号	CN112563013A	申请公布日	2021-03-26
分类号	H01F41/02(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	邱虹华;岩崎亮人;王俊勃;李欢;思芳;杨敏鸽;姜凤阳;刘松涛;刘江南;司鹏伟	申请（专利权）人	三菱电机（中国）有限公司
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	邓晔;宋俊寅
地址	100027北京市朝阳区工体北路甲2号盈科中心A座1507室
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法。1)按下列质量百分比进行配料：Nd：20.0‑21.0％；La：0.1‑0.3％；Sm：0.1‑0.3％；Cu：0.1‑0.5％；Al：0.5‑0.9％；Co：1.3‑1.6％；Ti：0.1‑0.3％；B：5.5‑6.1％；Ga：0.1‑0.3％，其余为Fe，磁体通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备；2)制备无重稀土合金的涂层；3)将烧结后的磁体进行表面清洁处理；4)将无重稀土合金涂层均匀地形成于磁体表面，并在600‑1000℃的氩气气氛下对试样进行4‑10h的保温处理；5)磁体经晶界扩散后进行退火热处理。本发明所采用的晶界扩散无重稀土钕铁硼永磁材料的方法有效提高了磁体内禀矫顽力，而不显著降低剩磁与磁能积，从而制得高性能的烧结钕铁硼磁体。