射频芯片结构和增加射频芯片隔离度的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110459658.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113141192A | 公开（公告）日 | 2021-07-20 |
| 申请公布号 | CN113141192A | 申请公布日 | 2021-07-20 |
| 分类号 | H04B1/40（2015.01）I;H04B7/0413（2017.01）I | 分类 | 电通信技术; |
| 发明人 | 张松柏;盛怀茂;施颖 | 申请（专利权）人 | 芯朴科技（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海和华启核知识产权代理有限公司 | 代理人 | 余昌昊 |
| 地址 | 201203上海市浦东新区博霞路22号305室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种射频芯片结构和增加射频芯片隔离度的方法，射频芯片结构包括：集成在一个芯片中的多个射频模块，所述芯片外围和相邻所述射频模块之间设置有隔离环，所述隔离环位于相邻所述射频模块之间的中间部分接地。本发明实现高度集成的射频模组设计，既提高芯片的启动和响应时间，又降低整体成本。 |
