一种柔性TFT器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010594145.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111900252A | 公开（公告）日 | 2020-11-06 |
| 申请公布号 | CN111900252A | 申请公布日 | 2020-11-06 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 龚岩芬;龚政;胡诗犇;陈志涛;郭婵;王建太;庞超;潘章旭;刘久澄 | 申请（专利权）人 | 广东省科学院 |
| 代理机构 | 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人 | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 地址 | 510000广东省广州市天河区长兴路363号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种柔性TFT器件及其制备方法。本发明的柔性TFT器件依次包括柔性衬底、PI黏附层、栅电极、介电层、PαMS修饰层、半导体层、界面修饰层和源漏电极层，所述栅电极含有PEDOT:PSS，所述介电层含有PDMS‑HfO2杂化材料，所述半导体层含有镧铟锌氧化物‑聚四乙烯基苯酚杂化材料。本发明采用上述有机与无机杂化体系材料和TFT器件结构，减少器件的因弯折而发生的膜层裂痕、位移等问题，从而提高柔性TFT器件的耐弯曲特性、稳定性和寿命。 |
