一种可靠性提高的E2PROM集成电路
基本信息
| 申请号 | CN98214245.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN2341279Y | 公开（公告）日 | 1999-09-29 |
| 申请公布号 | CN2341279Y | 申请公布日 | 1999-09-29 |
| 分类号 | H01L27/112 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张征 | 申请（专利权）人 | 上海贝岭微电子制造有限公司 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
| 地址 | 200233上海市宜山路810号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种E2PROM集成电路,它包括半导体衬底、位于衬底上的E2PROM存储单元阵列、覆盖在所述存储单元阵列上的介质层,其中所述E2PROM集成电路还包括覆盖需要保护的E2PROM存储单元阵列至少一部分以屏蔽外来电场干扰的附加金属膜,所述金属膜位于介质层上并与衬底在电气上相连。所述附加金属膜的形状可以是片状、网状或丝状。所述附加金属膜是在所述介质层上形成上层金属互连的同时形成的。 |
