一种高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201110363791.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103117349A | 公开（公告）日 | 2013-05-22 |
| 申请公布号 | CN103117349A | 申请公布日 | 2013-05-22 |
| 分类号 | H01L33/30(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;高本良;武胜利 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种高亮度AlGaInP发光二极管及其制造方法。采用复合式BDR结构解决了传统DBR反射角小的问题。复合式DBR结构由上、下两层DBR组成，其中下DBR层经过部分氧化，提高了与上DBR层的折射率差，提高了光的反射效率。并且同时采用周期纹理和表面粗化，进一步破坏表面的全反射。本发明提高了芯片的出光效率和出光角度，实现了芯片亮度的提升。同时由于破坏了芯片表面的全反射，减少光在芯片内部转化成热的机会，降低芯片温度，提高器件的性能和可靠性，并且工艺简单、成本低。 |
