一种氮化镓基外延片及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201210310935.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106098886A | 公开（公告）日 | 2016-11-09 |
| 申请公布号 | CN106098886A | 申请公布日 | 2016-11-09 |
| 分类号 | H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;展望;杨天鹏;关秋云;张博;武胜利 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种氮化镓基外延片及生长方法，在n型GaN材料中形成光的微反射层，该层处在有源层和衬底之间，能够将射向衬底的光反射回表面或侧面，减少衬底对光的吸收，提高了LED的外量子效率，进而提高了LED外延片的出光效率。本发明的外延片按常规芯片工艺制成300×300μm2的以ITO为透明电极的芯片，可得到10%?20%的亮度提升。 |
