一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法

基本信息

申请号	CN201210462411.3	申请日	-
公开（公告）号	CN106129216A	公开（公告）日	2016-11-16
申请公布号	CN106129216A	申请公布日	2016-11-16
分类号	H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	肖志国;薛蕾;刘丽;武胜利	申请（专利权）人	大连美明外延片科技有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	116600 辽宁省大连市开发区黄海大道1号
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种四元AlGaInP发光二极管芯片及其制造方法，其特征在于整个芯片制程完全或绝大部分无金化，此方法适用于多种波长的四元发光二极管，属于光电子制造技术领域。采用此制程方法的四元发光二极管芯片p面采用高透过率导电膜ITO代替Au/AuBe/Au与表层带有C元素重掺杂层的GaP窗口层形成良好的欧姆接触，同时严格控制ITO膜的厚度，使之实现良好的电流扩展的同时，将界面反射率降到最低来形成增透作用，极大提高了外量子效率，使芯片裸芯亮度提高10?20%。p面焊线电极采用以金属Al为主的纯Al或表面包金电极，同时芯片N面采用含金属Ge的非金材料代替Au/AuGe/Au。此四元二极管制作方法至少减少芯片制程黄金消耗90%，可有效地大幅降低成本。