一种GaN基LED外延片的生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201210351407.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105118900A | 公开（公告）日 | 2015-12-02 |
| 申请公布号 | CN105118900A | 申请公布日 | 2015-12-02 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;关秋云;杨天鹏;展望;张博;武胜利 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种GaN基LED外延片的生长方法，生长InGaN/GaN多量子阱时，在传统的生长条件下，适时适量的通入氢气，可以有效的抑制In的团簇效应，从而改善InGaN/GaN界面的平整度，提高出光效率，并且提高了器件的反向电压，降低了正向电压。本发明方法简单易行，生长工艺无特殊要求，按照标准芯片工艺制作成300微米×300微米的芯片，亮度在原有基础上提升了10～20%，反向电压提高了5V以上，正向电压降低了0.05V以上。 |
