一种发光二极管的研磨下蜡方法
基本信息
| 申请号 | CN201110328269.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103078015A | 公开（公告）日 | 2013-05-01 |
| 申请公布号 | CN103078015A | 申请公布日 | 2013-05-01 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2012.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;林晓文;卞广彪;王力明;高本良;武胜利;李彤 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号路明大厦B607 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种发光二极管的研磨下蜡方法，采用增加缓冲层、在液体中下蜡的方式，有效降低裂片率、提高良率，降低成本。减薄前，将载片盘表面用高温膜或镜头纸保护，起到外延片与载片盘间的缓冲作用；将减薄后的外延片连同载片盘放入水溶性去蜡液中进行下蜡。通过该方法进行减薄及下蜡，能够减少减薄过程及下蜡过程中的裂片率，增加发光二极管的良率；可以提高下蜡过程的速度，有效减少工作时间、提高了生产效率；有效降低了成本，并提高外延片厚度的均匀性。 |
