一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201010138875.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102208505B | 公开（公告）日 | 2016-11-30 |
| 申请公布号 | CN102208505B | 申请公布日 | 2016-11-30 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘俊;杨天鹏;王东盛;关秋云;展望;周德保;肖志国 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明介绍了一种氮化镓基外延片的生长方法，通过在多量子阱层和p型铝镓氮层之间，用三乙基镓作为镓的金属有机源，二茂镁作为受主杂质生长p型空穴注入层，这种生长结构不仅降低了p型层的体电阻，而且提高了注入空穴的有效浓度，增加了空穴与电子在有源区的有效复合，提高了发光二极管的发光效率。按标准芯片工艺制作的300×300μm2的以ITO为透明电极的芯片，其正向电压可降0.15V，光输出效率提高17％以上。 |
