一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201210310976.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103633196A | 公开（公告）日 | 2014-03-12 |
| 申请公布号 | CN103633196A | 申请公布日 | 2014-03-12 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 肖志国;李倩影;武胜利;孙英博;薛念亮;李浩然 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 发明提供了一种GaN基LED透明电极图形化的制备方法。在GaN基外延层上蒸镀一层ITO、ZnO或者单层石墨烯透明电极，在透明电极上沉积一层薄SiO2层，利用SiO2在不同温度下退火形成的结晶图形做掩膜，用干法刻蚀刻蚀掉裸露在外的透明电极，再用HF溶液去除SiO2结晶图形得到具有图形化的透明电极。此发明在制备时不仅通过透明电极图形化提高了光提取效率，还降低传统的光刻掩膜工艺成本和耗时。 |
