一种氮化镓基LED外延片及其生长方法
基本信息
| 申请号 | CN201010128437.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102194939B | 公开（公告）日 | 2016-11-30 |
| 申请公布号 | CN102194939B | 申请公布日 | 2016-11-30 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王东盛;刘俊;关秋云;周德保;肖志国 | 申请（专利权）人 | 大连美明外延片科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 116025 辽宁省大连市高新园区高能街1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，其结构从下至上依次为衬底、氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和接触层，其特征在于所述接触层为n型InxGa1?xN层，或者为p型InxGa1?xN层，其中x为摩尔系数，0＜x＜1。通过在接触层中加入In组分和浓度渐变的掺杂层来获得调制掺杂接触层外延结构，缓解静电对氮化镓基LED的冲击，提高LED对静电的耐受能力。按照标准芯片工艺制作成300×300μm2的芯片，其反向4000V的ESD良品率为90％以上。 |
