一种LDMOS器件结构
基本信息
| 申请号 | CN201821139718.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN208861995U | 公开（公告）日 | 2019-05-14 |
| 申请公布号 | CN208861995U | 申请公布日 | 2019-05-14 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L23/552（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李科; 万宁; 丛密芳; 任建伟; 李永强; 黄苒; 苏畅; 李浩; 杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种LDMOS器件结构，包括：第一导电类型的衬底，形成在衬底上的第一导电类型的外延层；形成在外延层中的第二导电类型的漂移区；第一导电类型的阱区，自外延层的表面延伸到衬底中；第一导电类型的沟道区，形成在漂移区中并位于漂移区与阱区之间；第二导电类型的源区，位于阱区和沟道区中；以及第二导电类型的漏区，位于漂移区中，位于沟道区上方的栅极，其间形成有栅极绝缘层；其中，自外延层的靠近表面处还形成有沟槽，沟槽部分地覆盖漂移区及沟道区，沟槽填充有氧化物构成的沟槽填充区域。 |
