一种LDMOS器件以及制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910313332.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110010473A | 公开（公告）日 | 2019-07-12 |
| 申请公布号 | CN110010473A | 申请公布日 | 2019-07-12 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万宁;李科;丛密芳;任建伟;李永强;宋李梅;黄苒;赵博华;苏畅;李浩;黄振兴;杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种LDMOS器件以及制作方法，所述LDMOS器件包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底上的外延层；位于所述外延层上的漂移区；位于所述外延层上的阱区；位于所述外延层远离所述衬底的表面上且处于所述漂移区与所述阱区之间的沟道区；位于所述阱区以及所述沟道区之间的源区；位于所述源区与所述沟道区中的连接区；位于所述漂移区中的漏区；位于所述沟道区远离所述外延层的表面上的栅极绝缘层；位于所述栅极绝缘层远离所述外延层的一侧的栅极；以及覆盖所述漂移区远离所述外延层的表面以及所述栅极远离所述外延层的表面的外层绝缘层。本发明能够满足较高等级的可靠性以及防静电能力。 |
