半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201811613682.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109860300A | 公开（公告）日 | 2019-06-07 |
| 申请公布号 | CN109860300A | 申请公布日 | 2019-06-07 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万宁; 李科; 丛密芳; 任建伟; 李永强; 宋李梅; 黄苒; 赵博华; 苏畅; 李浩; 黄振兴; 杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；栅介质层，位于外延层上；栅极，位于栅介质层上；源区与漏区，分别位于栅极两侧；漂移区，位于外延层中，并与栅极的一侧相邻，漂移区与漏区位于栅极的同一侧；以及屏蔽环，至少覆盖漂移区与栅极相邻的部分，半导体器件还包括位于漂移区中的第一掺杂区，第一掺杂区与屏蔽环的位置对应，其中，衬底与外延层为第一掺杂类型，源区、漏区、漂移区、以及第一掺杂区为第二掺杂类型，第一掺杂区的掺杂浓度大于漂移区的掺杂浓度。该半导体器件通过在漂移区中设置第一掺杂区从而提高了半导体器件的击穿电压，同时降低了器件的导通电阻，优化了半导体器件的性能。 |
