LDMOS器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910149287.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109920737A | 公开（公告）日 | 2019-06-21 |
| 申请公布号 | CN109920737A | 申请公布日 | 2019-06-21 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I; H01L21/265（2006.01）I; H01L29/06（2006.01）I; H01L29/167（2006.01）I; H01L29/423（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万宁; 李科; 丛密芳; 任建伟; 李永强; 宋李梅; 黄苒; 赵博华; 苏畅; 李浩; 黄振兴; 杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 公开了一种LDMOS器件及其制造方法，包括形成衬底以及位于衬底上方的外延层，衬底与外延层具有第一导电类型；在外延层中形成下沉区，下沉区至少部分接触衬底；在外延层中形成具有第一导电类型的埋层，埋层覆盖下沉区；在外延层上依次形成栅氧化层以及栅极；在栅极下方形成彼此靠近的具有第二导电类型的漂移区和第一导电类型的沟道区，漂移区远离下沉区；分别在沟道区形成源区，在漂移区形成漏区，源区通过下沉区与衬底连接，埋层形成于栅极靠近源区的一侧。本发明通过光刻注入一中等掺杂浓度的与沟道区导电类型一致的埋层，埋层位于沟道下方并覆盖下沉区，使得寄生晶体管内的基区电阻下降，避免了因寄生晶体管开启烧毁器件。 |
