半导体器件寄生电阻获取方法
基本信息
| 申请号 | CN201810799302.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109143015A | 公开（公告）日 | 2019-01-04 |
| 申请公布号 | CN109143015A | 申请公布日 | 2019-01-04 |
| 分类号 | G01R31/26 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李浩;杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供半导体器件寄生电阻获取方法，所述半导体器件包括衬底、以及位于所述衬底中的源区、漏区、沟道及沟道下方的埋区，所述方法包括如下步骤：获得半导体器件的等效电路模型，其中，将源区、漏区和沟道分别等效为寄生晶体管的发射区、集电区和基区；对所述半导体器件进行TLP测试，获取电流电压曲线；根据所述电流电压曲线进行线性拟合，得到该半导体器件的寄生电阻。本发明通过对器件结构的剖析、等效电路的获取、TLP电压电流曲线的测试、击穿机理过程分析、曲线分析，得到了一种半导体器件获取寄生电阻的方法，该方法非常简洁地得到了RFLDMOS的寄生电阻，为器件的优化设计提供了指导方法。 |
