一种评估射频功率LDMOS器件散热特性的方法以及系统
基本信息
| 申请号 | CN201910019893.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109917260B | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN109917260B | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | G01R31/26（2014.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李浩;杜寰 | 申请（专利权）人 | 北京顿思集成电路设计有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京正理专利代理有限公司 | 代理人 | 付生辉 |
| 地址 | 100176北京市大兴区经济技术开发区科创十四街99号33幢D栋二层2193号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种评估射频功率LDMOS器件散热特性的方法，包括以下步骤：通过传输线脉冲测试装置对待测LDMOS器件进行测试得到IV测试曲线；对所述IV测试曲线中的上升段部分进行线性拟合得到所述待测LDMOS器件的寄生电阻值；通过所述待测LDMOS器件的寄生电阻值得到所述待测LDMOS器件的寄生电阻变化因子；将所述寄生电阻变化因子与预设阈值进行比较，根据比较结果判断所述待测LDMOS器件的散热特性。本发明提高了评估待测LDMOS器件散热特性的便捷性以及简洁性。 |
