一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法

基本信息

申请号	CN201811087079.0	申请日	-
公开（公告）号	CN109195340A	公开（公告）日	2019-01-11
申请公布号	CN109195340A	申请公布日	2019-01-11
分类号	H05K3/04;H05K3/02;H05K3/06	分类	其他类目不包含的电技术;
发明人	梅泽群;井敏	申请（专利权）人	桑尼维尔新材料科技（南京）有限公司
代理机构	江苏瑞途律师事务所	代理人	金龙
地址	210000 江苏省南京市江北新区星火路9号软件大厦B座3楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种制作金属化陶瓷基板超窄线宽、线距图形的方法，属于电力电子器件封装领域。在正常的金属化陶瓷基板产品生产过程中，由于需要在陶瓷基板上加工出来电路图形，不可避免的会有蚀刻工序，当铜厚达到300μm以上，那么图形的线宽、线距有保障的约为500μm以上。但在高端电子封装领域要求线宽、线距要低于100μm以下，这就限制了金属化陶瓷基板在这些高端电子封装领域的应用。针对此种现象本发明提供了一种制作金属化陶瓷基板电路图形超窄线宽、线距的方法，本方案使用激光蚀刻与化学蚀刻相结合的方式蚀刻金属化层，从而达到蚀刻出精细的线宽线距的目的，大大提高线宽线距的下限值和精确度，拓宽了金属化陶瓷基板的应用领域。