能够快速骤回的逆导型绝缘栅双极型晶体管及其实现方法
基本信息
申请号 | CN201910199404.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111697067A | 公开(公告)日 | 2020-09-22 |
申请公布号 | CN111697067A | 申请公布日 | 2020-09-22 |
分类号 | H01L29/739(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 樱井建弥;吴磊 | 申请(专利权)人 | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 上海新微技术研发中心有限公司;上海睿驱微电子科技有限公司 |
地址 | 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种能够快速骤回的逆导型绝缘栅双极型晶体管RC‑IGBT及其实现方法,其包括:主区域,其包括非有源区、IGBT部分以及FWD部分,非有源区包括栅极流道与边缘终端;主区域的每一块中多个IGBT部分以及FWD部分间隔分布,各块之间设置有第一栅极流道,各块外围设置有第二栅极流道,第一栅极流道与第二栅极流道贯通,第二栅极流道外围包设有边缘终端;非有源区产生电流密度大于预设阈值的电子流;主区域的下方设置有n‑型漂移区,n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区,n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区及n+阴极区,n+阴极和p+型集电极区域通过背面接触短接,p+型集电极区的下方连接集电极。本发明能改善骤回性能,实现RC‑IGBT的Vce快速恢复。 |
