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一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件

基本信息

申请号 CN202110518236.4 申请日 -
公开（公告）号 CN113314588A 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN113314588A 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 吴磊;李娇;陆界江 申请（专利权）人 上海睿驱微电子科技有限公司
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 张欢欢
地址 201899上海市嘉定区环城路2222号1幢J
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种具有高抗闩锁能力的IEGT器件，在N‑型漂移层的上方间隔设置P型基区和栅极，栅极之间设置所述浮动P区，P沟道MOSFET管设置在浮动P区，除设置有P沟道MOSFET管的P型基区以外的其它P型基区表面一侧设有P+型基区、另一侧设有N+型发射区，N+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；N‑型漂移层的下方设置N型缓冲区，N型缓冲区的下方设置所述P‑型集电极区，P‑型集电极区的下方连接集电极。本发明通过在浮动P区增加P沟道MOSFET作为空穴分流器，旁路空穴电流以降低高空穴密度，提高抗闩锁能力。