一种具有过流限制功能的多晶硅及其构建方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种具有过流限制功能的多晶硅及其构建方法

基本信息

申请号	CN201811595361.X	申请日	-
公开（公告）号	CN111370478A	公开（公告）日	2020-07-03
申请公布号	CN111370478A	申请公布日	2020-07-03
分类号	H01L29/739;H01L21/331	分类	基本电气元件;
发明人	樱井建弥;吴磊	申请（专利权）人	上海睿驱微电子科技有限公司
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘元霞
地址	201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种具有过流限制功能的多晶硅，所述多晶硅包括：主绝缘栅双极型晶体管IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域，所述分离区域位于所述主IGBT区域与所述感测IGBT区域之间，所述分离区域设置用于对IGBT进行过流限制的过流限制区域；所述过流限制区域在SiO2上设置有用于联合实现过流限制功能的齐纳二极管、双极过流限制三级管、第一温度补偿二极管、第二温度补偿二极管、第一检测电阻以及第二检测电阻；主IGBT区域的上方设置有发射极；主IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域的下方设置有n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接所述集电极。