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一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法

基本信息

申请号 CN202110509313.X 申请日 -
公开（公告）号 CN113314587A 公开（公告）日 2021-08-27
申请公布号 CN113314587A 申请公布日 2021-08-27
分类号 H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 分类 基本电气元件;
发明人 吴磊;陆界江;桜井建弥;李娇 申请（专利权）人 上海睿驱微电子科技有限公司
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 朱远枫
地址 201899 上海市嘉定区环城路2222号1幢J
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种增强型沟槽栅IGBT及其形成方法，设置发射极、N+发射区、P基区、沟槽栅、虚拟多晶硅、浮动P区、n‑截止区和n‑漂移区；虚拟多晶硅的两侧分别与沟槽栅之间设置浮动P区，沟槽栅之间除设置虚拟多晶硅和浮动P区之外的区域设置P基区，P基区表面两侧设置N+发射区，所述P基区和浮动P区均设置于n‑漂移区的上方；n‑漂移区的下方设置n‑截止区，n‑型截止区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。由于虚拟沟道中的p区与多晶硅和外发射极电极之间的连接以及独特的栅结构的引入，使得从浮动p区到有源栅电极的位移电流较小，从而获得良好的di/dt可控性。