具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

具有空穴载流路径的IEGT及其构建方法

基本信息

申请号	CN201811595355.4	申请日	-
公开（公告）号	CN111370476A	公开（公告）日	2020-07-03
申请公布号	CN111370476A	申请公布日	2020-07-03
分类号	H01L29/739;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/331	分类	基本电气元件;
发明人	樱井建弥;吴磊	申请（专利权）人	上海睿驱微电子科技有限公司
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘元霞
地址	201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种具有空穴载流路径的IEGT，该具有空穴载流路径的IEGT包括：发射极、n+型发射区、栅极、基极区、p型MOSFET管、n‑型漂移区、n+型缓冲区、p+型集电极区、以及集电极；n‑型漂移区的上方间隔设置基极区和栅极，p型MOSFET管设置在基极区，p型MOSFET管在IEGT的主沟槽栅极的导通时间期间截止，并且在主沟槽栅极的截止时间期间导通；除设置有p型MOSFET管的基极区以外的其它基极区表面的两侧设有n+型发射区，n+型发射区上方设有与n+型发射区连接的发射极；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接集电极。本发明具有空穴载流路径的IEGT的通态电压及关断损耗均比较低。