具有过流限制功能的绝缘栅双极型晶体管及其构建方法
基本信息
| 申请号 | CN201811595360.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111370477A | 公开（公告）日 | 2020-07-03 |
| 申请公布号 | CN111370477A | 申请公布日 | 2020-07-03 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/423 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 樱井建弥;吴磊 | 申请（专利权）人 | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘元霞 |
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号3号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有过流限制功能的绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：主IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域，所述分离区域位于所述主IGBT区域与所述感测IGBT区域之间，所述主IGBT间隔及感测IGBT区域均设置有多个栅极，所述分离区域设置用于对IGBT进行过流限制的过流限制区域；所述分离区域中未设置任何沟槽栅极；主IGBT区域的上方设置有发射极；主IGBT区域、分离区域及感测IGBT区域的下方设置有n‑型漂移区，所述n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的下方设置p+型集电极区，p+型集电极区的下方连接所述集电极。本发明具有提升耐受时间的能力。 |
