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MOS栅晶体管及其构建方法

基本信息

申请号 CN201910059689.8 申请日 -
公开（公告）号 CN111463257A 公开（公告）日 2020-07-28
申请公布号 CN111463257A 申请公布日 2020-07-28
分类号 H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 樱井建弥;吴磊;曹明霞 申请（专利权）人 上海睿驱微电子科技有限公司
代理机构 北京知元同创知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 刘元霞
地址 201800上海市嘉定区城北路235号1号楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种MOS栅晶体管及其构建方法，其中MOS栅晶体管包括：n‑型漂移区的上方间距设置LOCOS氧化区域，LOCOS氧化区域上方设置n型多晶硅层，n型多晶硅层中形成有p基极区以及n+型发射区；n型多晶硅层上设置有多晶硅栅极结构，多晶硅栅极结构包括从下而上设置栅氧化层、多晶硅栅膜以及含硼及磷的硅化物，含硼及磷的硅化物上方设置有发射极；含硼及磷的硅化物的两侧设置有接触孔；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方设置p型集电极区，p型集电极区的下方连接集电极。本发明的MOS栅晶体管能兼顾通态电压及关断时间两个参数的取值，实现比较理想的载流子分布。