一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法
基本信息
申请号 | CN202010019531.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111141448B | 公开(公告)日 | 2021-10-19 |
申请公布号 | CN111141448B | 申请公布日 | 2021-10-19 |
分类号 | G01N27/70(2006.01)I;G01L21/30(2006.01)I | 分类 | 测量;测试; |
发明人 | 杨威;刘文超;魏贤龙 | 申请(专利权)人 | 北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院 |
代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 付婧 |
地址 | 300452天津市滨海新区中心商务区于家堡金融区双创大厦25层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请公开了一种片上平面式微型电离真空传感器和制造方法,包括:位于同一衬底上的电子源和多个环形电极;所述电子源,用于发射电子;多个所述环形电极环绕在所述电子源外,用于根据输入电压,对所述电子施加正偏压,收集电子,确定电子电流,或对离子施加负偏压,收集离子,确定离子电流。使用位于同一衬底上的电子源和多个环形电极能够减小电离真空传感器的体积和质量;使用片上电子源能够降低耗能和产热,从而减少放气;通过从多个环绕在所述电子源外的环形电极中选择两个,能够选择量程范围;由于能够采用微纳加工的加工方式大批量的制备,因此能够提高生产效率,降低生产成本。 |
