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LDMOS开关器件及其制作方法

基本信息

申请号 CN202111679957.X 申请日 -
公开（公告）号 CN114334660A 公开（公告）日 2022-04-12
申请公布号 CN114334660A 申请公布日 2022-04-12
分类号 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李荣伟 申请（专利权）人 苏州龙驰半导体科技有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 王晓玲
地址 215009 江苏省苏州市高新区火炬路52号46幢131室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了LDMOS开关器件及其制作方法。该制作方法，包括以下步骤：在半绝缘SiC基底的第一表面形成栅氧化层和栅极，栅极位于栅氧化层远离第一表面的一侧；在半绝缘SiC基底中形成漂移区，并在栅极两侧的半绝缘SiC基底中形成源/漏区，以使源/漏区中的漏区位于漂移区中。本申请的上述方法在半绝缘SiC半绝缘衬底上直接制作RF LDMOS开关器件，可以通过SiC氧化和离子注入实现沟道增强型RF LDMOSFET的工艺设计，该工艺充分发挥了SiC的高热导率属性，SiC高的键能使器件有更高的工作电压，能够在高温高压环境中仍然实现高输出功率和效率。