SiCMOSFET器件的栅氧化层的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111670227.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114256065A | 公开（公告）日 | 2022-03-29 |
| 申请公布号 | CN114256065A | 申请公布日 | 2022-03-29 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪洋;张耀辉 | 申请（专利权）人 | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张岳峰 |
| 地址 | 215009 江苏省苏州市高新区火炬路52号46幢131室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种SiC MOSFET器件的栅氧化层的制作方法。该制作方法包括：提供SiC衬底以及第一氧化层，第一氧化层位于SiC衬底的表面上；采用高温低压化学气相沉积法，在第一氧化层的远离SiC衬底的表面上形成第二氧化层；对第一氧化层以及第二氧化层进行退火，退火后的第一氧化层以及第二氧化层形成栅氧化层。该方法中，由于有第一氧化层的存在，在生成第二氧化层时，没有与碳化硅外延片反应，没有产生多余的副产物，使得栅氧化层SiC/SiO2界面质量较好，解决了现有技术中的SiC MOSFET的沟道迁移率较低的问题。 |
