碳化硅器件的栅氧化层的制备方法与碳化硅器件
基本信息
| 申请号 | CN202111276192.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114023633A | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN114023633A | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I;H01L29/51（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 汪洋;张耀辉 | 申请（专利权）人 | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 张岳峰 |
| 地址 | 215123江苏省苏州市工业园区星湖街328号创意产业园10-1F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种碳化硅器件的栅氧化层的制备方法。该制备方法包括：对碳化硅外延片进行热氧化处理，在碳化硅外延片上形成薄的第一二氧化硅层；在第一氧化层的远离碳化硅外延片的表面上沉积硅，形成硅膜；对硅膜进行热氧化处理，使硅膜氧化成第二二氧化硅层。在碳化硅外延片上通过热氧化形成薄的第一二氧化硅层，由于第一二氧化硅层比较薄，其消耗的碳化硅较少，产生的副产物较少，然后在第一二氧化硅层上形成硅膜，对硅膜热氧化形成第二二氧化硅层，由于有第一二氧化硅层的存在，对硅膜进行热氧化形成第二二氧化硅层时，没有与碳化硅外延片反应，使得栅氧化层SiC/SiO2界面质量较好，进而提高了碳化硅器件的沟道迁移率。 |
