碳化硅晶圆衬底的回收利用方法
基本信息
| 申请号 | CN201910957396.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112652567A | 公开（公告）日 | 2021-04-13 |
| 申请公布号 | CN112652567A | 申请公布日 | 2021-04-13 |
| 分类号 | H01L21/683 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 彭虎 | 申请（专利权）人 | 苏州龙驰半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵世发 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区若水路388号B0604室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅晶圆衬底的回收利用方法。所述回收利用方法包括：提供物体，所述物体包括碳化硅衬底；选择位于所述碳化硅衬底内预设深度处的一个面作为分离界面，所述分离界面将所述碳化硅衬底于厚度方向上划分为第一部分和第二部分；以激光照射所述碳化硅衬底，并使所述激光聚焦于所述分离界面上，从而使所述分离界面处的碳化硅分解，进而使所述碳化硅衬底的第一部分与第二部分彼此分离。本发明实施例提供的方法通过采用激光照射的方式对碳化硅晶圆衬底进行切割，进而实现对碳化硅晶圆衬底的回收，能大幅降低碳化硅基芯片制作的成本。 |
