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半导体器件的制作方法和半导体器件

基本信息

申请号 CN202210165013.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114551600A 公开（公告）日 2022-05-27
申请公布号 CN114551600A 申请公布日 2022-05-27
分类号 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 李荣伟 申请（专利权）人 苏州龙驰半导体科技有限公司
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人 -
地址 215009江苏省苏州市高新区火炬路52号46幢131室
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种半导体器件的制作方法和半导体器件，该制作方法包括：提供基底，基底包括SiC层、位于SiC层表面上的P型外延层以及位于P型外延层上间隔设置的两个N+区；在两个N+区之间的P型外延层的裸露表面上形成预定金属氧化物层；在预定金属氧化物层的裸露表面上形成SiO2层；在SiO2层的裸露表面上，沉积多晶硅并图案化，形成多晶硅栅极。该方法通过在基底和SiO2层之间沉积预定金属氧化物层，实现了SiC与SiO2的分离，从而避免了在传统热氧化形成SiO2的过程中产生SiO2层陷阱及SiO2/SiC界面陷阱，实现器件沟道迁移率的提高，进而解决了现有技术中半导体器件的沟道迁移率低的问题。