一种紫外至近红外波段的高效双面吸波结构
基本信息
申请号 | CN202121021351.2 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN215494202U | 公开(公告)日 | 2022-01-11 |
申请公布号 | CN215494202U | 申请公布日 | 2022-01-11 |
分类号 | G02B5/00(2006.01)I;H01Q17/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 分类 | 光学; |
发明人 | 周云;张恒;王钦华;方宗豹;陈林森;孟德宇;陆平英;陈华锋;武荣风;詹智诚 | 申请(专利权)人 | 京东方光科技有限公司 |
代理机构 | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 吴竹慧 |
地址 | 215000江苏省苏州市吴中区石湖西路188号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开了一种紫外至近红外波段的高效双面吸波结构,包括:介质层,所述介质层的上下表面分别设有结构参数相同的上蛾眼纳米结构阵列和下蛾眼纳米结构阵列,所述上蛾眼纳米结构的高度与底部宽度之比为A1,所述下蛾眼纳米结构的高度与底部宽度之比为A2,其中A2=A1≥1,所述上蛾眼纳米结构阵列的周期为P1,所述下蛾眼纳米结构阵列的周期为P2,其中450nm≤P1=P2≤650nm,所述上蛾眼纳米结构阵列的表面覆盖有均匀厚度的上金属层,所述上金属层的外表面覆盖有上覆盖层,所述下蛾眼纳米结构阵列的表面覆盖有均匀厚度的下金属层,所述下金属层的外表面覆盖有下覆盖层。本实用新型吸波结构的带宽较宽,光能利用率高,易于制作,便于大规模批量生产。 |
