一种5G通信关键射频芯片材料
基本信息
| 申请号 | CN201910687251.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110400742B | 公开（公告）日 | 2019-11-01 |
| 申请公布号 | CN110400742B | 申请公布日 | 2019-11-01 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 不公告发明人 | 申请（专利权）人 | 北京信唐智创电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州天河万研知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 北京大唐智创科技有限公司 |
| 地址 | 100089北京市海淀区北清路164号17-27号院032号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种5G通信关键射频芯片材料，该射频芯片材料的制备过程包括如下步骤：将氮化镓晶片经过初步的切割、磨削、研磨处理后，进行精抛光处理，精抛光后对氮化镓晶片表面进行清洗剂洗涤，然后干燥，即得射频芯片材料。本发明制备得到的射频芯片材料具有更低的表面粗糙度，表面光滑呈原子台阶形貌，且无划痕、凹坑等表面缺陷，在5G、物联网、智能汽车等应用领域有望得到广泛应用。 |
