具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构

基本信息

申请号 CN202111435868.0 申请日 -
公开(公告)号 CN114203832A 公开(公告)日 2022-03-18
申请公布号 CN114203832A 申请公布日 2022-03-18
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 沈文忠;李正平;王闻捷;裴骏 申请(专利权)人 江苏林洋光伏科技有限公司
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 王毓理;王锡麟
地址 200240上海市闵行区东川路800号
法律状态 -

摘要

摘要 一种具有钝化接触层并叠加复合钝化层的铸造单晶硅钝化结构,以n型铸造单晶硅为基底,在基底两侧对称地由内到外依次生长有超薄氧化硅层(SiOx)、磷掺杂多晶硅层(poly‑Si(n))、氧化铝层(AlOx)和氢化氮化硅层(SiNx:H)。本发明采用性能优异的钝化层,有效钝化铸造单晶硅的表面缺陷,能够降低载流子复合损失,有利于制造高转换效率的铸造单晶硅太阳电池。