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太阳能电池的制备方法

基本信息

申请号 CN201810023756.6 申请日 -
公开（公告）号 CN108258082B 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN108258082B 申请公布日 2021-06-04
分类号 H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 钱小立 申请（专利权）人 协鑫集成科技（苏州）有限公司
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 代理人 唐清凯
地址 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇晨丰公路288号1-6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种太阳能电池的制备方法。上述太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：对预处理后的硅片背表面进行离子注入处理；对进行离子注入后的硅片背表面进行退火处理；对退火后的硅片背表面进行沉积磷源处理；对进行沉积磷源后的硅片背表面进行激光掺杂，形成选择性发射极。上述太阳能电池的制备方法，通过离子注入工艺和退火处理使太阳能电池的杂质离子掺杂更均匀；在退火处理后加入沉积磷源的步骤，使硅片表面生成一层磷硅玻璃层，避免了磷原子的推进，控制掺杂水平；同时，采用离子注入和激光掺杂结合的工艺制备的太阳能电池无需后续去除掩膜和二次扩散等后续处理步骤，使太阳能电池更易于工业自动化生产。