控制加热温场提纯制备多晶硅的装置及工艺
基本信息
| 申请号 | CN201811378303.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109252216B | 公开（公告）日 | 2020-03-20 |
| 申请公布号 | CN109252216B | 申请公布日 | 2020-03-20 |
| 分类号 | C30B29/06;C30B28/06;C01B33/037 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 羊实;庹开正 | 申请（专利权）人 | 成都斯力康科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成都斯力康科技股份有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市天府新区兴隆街道场镇社区正街57号1幢1单元2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了控制加热温场提纯制备多晶硅的装置，炉体内设有隔热板、冷却盘、坩埚、加热感应圈和保温筒，保温筒内设有上段石墨发热环、中段石墨发热环和下段石墨发热环，上段石墨发热环和中段石墨发热环之间、以及中段石墨发热环和下段石墨发热环之间均设有连接环，连接环采用导热系数为10～50W/m·k的耐高温材料制成。提纯工艺为：向冷却盘内通入冷却气体；向炉体内通入惰性气体，同时通过设于炉体顶部的排气管排出，保障炉体内存在一定气压；控制上段石墨发热环、中段石墨发热环及下段石墨发热环按一定程序降温。本发明利于形成均匀的温度梯度，利于晶体生长，可有效防止出现阶梯式热场从上到下为阶梯性突变。 |
