金属硅精炼深度除杂方法
基本信息
| 申请号 | CN201810795800.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108914203B | 公开（公告）日 | 2020-02-07 |
| 申请公布号 | CN108914203B | 申请公布日 | 2020-02-07 |
| 分类号 | C30B28/06;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 羊实;周旭 | 申请（专利权）人 | 成都斯力康科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 成都斯力康科技股份有限公司 |
| 地址 | 610000 四川省成都市天府新区兴隆街道场镇社区正街57号1幢1单元2号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了金属硅精炼深度除杂方法，解决了现有的金属硅在精炼过程中存在杂质扩散不充分而去除不干净的问题。本发明包括如下步骤：将金属硅置于石英坩埚中，并采用真空熔炼炉进行加热并抽真空；注入保护性气体；熔炼温度上升到1450℃‑1750℃时，石英坩埚底部通氯气，保温1‑4小时；下降石英坩埚，使得石英坩埚中的高纯硅熔融液从下向上逐渐定向凝固提纯得到高纯硅锭；待石英坩埚冷却，取出石英坩埚，并将高纯硅锭的顶部和与石英坩埚粘黏的部分切除；所述石英坩埚包括坩埚本体和设置在坩埚本体内侧壁上的凹凸部。本发明具有金属硅中杂质扩散去除充分，提纯效果好等优点。 |
