一种LED外延结构及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202011042155.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112151647B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN112151647B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/26（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/34（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王杰;冯磊;徐平 | 申请（专利权）人 | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 长沙七源专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张勇;周晓艳 |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种LED外延结构，包括衬底以及依次层叠设置在衬底上的第一半导体层、超晶格层、发光层及第二半导体层；超晶格层包括至少一个超晶格单体，超晶格单体为依次层叠设置的SiInN层和SiInGaN层或者是依次层叠设置的AlInGaN层、SiInN层和SiInGaN层；应用本发明的技术方案，效果是：通过设置超晶格层能有效释放第一半导体层的应力，同时提高电子和空穴的复合效率；本发明还公开了一种LED外延生长方法，包括依次在衬底上生长第一半导体层、超晶格层、发光层和第二半导体层；超晶格层包括至少一个超晶格单体，超晶格单体能限制从第一半导体内注入的电子，同时能够让电子在LED传送通道上分散开来，便于向发光层提供源源不断的电子。 |
