氮化镓发光二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111543401.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114141915A | 公开（公告）日 | 2022-03-04 |
| 申请公布号 | CN114141915A | 申请公布日 | 2022-03-04 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/22（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐平;许孔祥;冯磊;黄胜蓝 | 申请（专利权）人 | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 长沙七源专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张勇;刘伊旸 |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓发光二极管的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积SiO2薄膜；在SiO2薄膜上表面制作圆形图案的光刻胶膜层；去除多余的SiO2膜层，在蓝宝石表面形成光刻胶和SiO2薄膜双掩膜结构的多个凹型坑；将表面形成有多个凹型坑的蓝宝石衬底进行干法刻蚀，并去除SiO2膜层，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；蒸镀Al单质薄膜，使Al膜完全填充V形孔；进行退火处理，使铝膜球聚形成铝球；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高GaN薄膜的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED芯片的发光效率及发光强度。 |
