发光二极管制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202111435249.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114122206A | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN114122206A | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐平;许孔祥 | 申请（专利权）人 | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 长沙七源专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张勇;刘伊旸 |
| 地址 | 423038湖南省郴州市白露塘有色金属产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种发光二极管制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长多量子阱层、生长u‑GaN/InmAl1‑m‑nGanN/p‑GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长u‑GaN/InmAl1‑m‑nGanN/p‑GaN超晶格层依次包括生长u‑GaN层、生长InmAl1‑m‑nGanN阱层以及生长p‑GaN层的步骤。本发明通过采用新的发光二极管制作方法来减少芯片的翘曲度，提升外延片的波长和亮度的分布均匀性，从而提升氮化镓发光二极管的发光亮度。 |
