高导热氮化硅基片的制造方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

高导热氮化硅基片的制造方法

基本信息

申请号	CN201810630735.0	申请日	-
公开（公告）号	CN108774066A	公开（公告）日	2018-11-09
申请公布号	CN108774066A	申请公布日	2018-11-09
分类号	C04B35/584;C04B35/622	分类	水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人	孟丽丽	申请（专利权）人	威海麒达特种陶瓷科技有限公司
代理机构	威海科星专利事务所	代理人	初姣姣
地址	264200 山东省威海市环翠区经区崮山镇张家滩村
法律状态	-

摘要

本发明涉及陶瓷散热基板制造技术领域，具体的说是一种抗弯强度高、导热率高，特别适用于未来功率电驱动模块的高导热氮化硅基片的制造方法，其特征在于将92.5%‑97.5%的氮化硅陶瓷粉料与2.5%‑7.5%的硝酸镁Mg(NO3)2在工业酒精中充分混合，获得的混合物在N2气压下进行共烧，最高温度800℃，所得物料经搅拌磨24‑48H研细成混合粉料，取混合粉料与氧化镁、三氧化二钇充分混合，获得的物料搅拌并研磨24H，研细成高导热氮化硅基板料，注射成型后进行加压高温脱胶处理，经N2气压力2‑4MPa、最高温度1200℃‑1400℃脱胶，半成品在6‑7MPa氮气压力下，1850℃‑1890℃烧结2‑4小时；然后在5 MPa氮气压力下，退火获得成品，本发明与现有技术相比，具有操作简便，生产效率高，产品性能稳定等显著的优点。