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氮化硅加热片及其制造方法

基本信息

申请号 CN201210047169.3 申请日 -
公开（公告）号 CN102595665A 公开（公告）日 2014-07-09
申请公布号 CN102595665A 申请公布日 2014-07-09
分类号 H05B3/10;C04B35/584;C04B35/622 分类 其他类目不包含的电技术;
发明人 孟丽丽 申请（专利权）人 威海麒达特种陶瓷科技有限公司
代理机构 威海科星专利事务所 代理人 于涛
地址 264200山东省威海市经济技术开发区北山村北
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种加热片，具体地说是一种氮化硅加热片及其制造方法，包括本体和位于本体内的加热体，本体由氮化硅粉烧制而成，其特征在于加热体由发热区和位于加热体末端的用于焊接引线的不发热区组成，发热区由碳化钛TiC粉，碳化钽TaC粉，氧化铝Al2O3粉，氧化锆ZrO2粉，氧化钇Y2O3粉，碳化钨WC粉，镍Ni粉，铬Cr粉，氮化硅Si3N4粉混合烧制而成，本发明与现有技术相比，通过使用导电陶瓷粉烧结制得加热片本体内的发热体，能够有效提高产品的稳定性，克服现有技术中存在的发热体易断裂、与本体烧结一体性差，产品成品率低、使用性能不稳定等缺点，具有性能稳定、生产效率高、功率高等显著的优点。