用于提高芯片内SRAMPUF稳定性的电路装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202111075324.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889156A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889156A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | G11C5/14（2006.01）I;G11C29/42（2006.01）I;G06F21/71（2013.01）I;H04L9/32（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 刘徐港;肖继银;李宏杰;徐芳 | 申请（专利权）人 | 武汉瑞纳捷半导体有限公司 |
| 代理机构 | 武汉蓝宝石专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 赵红万 |
| 地址 | 430000湖北省武汉市东湖新技术开发区金融港一路7号光谷智慧园15栋01号楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种用于提高芯片内SRAM PUF稳定性的电路装置及方法，电路装置包括多个并列连接的PMOS管，所有PMOS管的栅极均连接芯片内部逻辑控制信号Vg，所有PMOS管的源极均连接芯片内SRAM阵列供电电源输入端，所有PMOS管的漏极均连接芯片内部供电电源。本发明利用PMOS管阵列为芯片内SRAM阵列供电，且提出对应的控制开启和关闭的方式，保证每次SRAM上电时，SRAM供电电源快速从0V上升到正常工作电压，缩短SRAM供电电源在CMOS电路易受干扰的电压段（300～500mV）停留时间，提高芯片内部SRAMPUF稳定性。 |
