低压放电管芯片的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202110917051.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113823560A | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN113823560A | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L21/329（2006.01）I;H01L29/87（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李晓锋;张潘德 | 申请（专利权）人 | 浙江里阳半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭燕;彭家恩 |
| 地址 | 317600浙江省台州市玉环市芦浦镇漩门工业区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种低压放电管芯片的制造方法，由于在形成阳极层之前形成了阳极埋层，所述阳极埋层位于所述衬底层的部分表面，且是向所述阳极埋层区域的位置处注入深度为第一厚度的第二导电类型的杂质离子，进一步再形成阳极层、阴极层以及隔离层，由于放电管芯片是PNPN结构，形成过程中一直在不断的进行浓度迭加，因此衬底层的掺杂浓度相对最淡，阻抗最高，本发明中在衬底内部设置阳极埋层可以使N型的衬底层中阻抗大的长度减小，也就是说减小了阻抗高的那部分的总长度，使得放电管芯片的阻抗降低，进而使其导通压降降低，提高了低压放电管芯片的性能。 |
